Разработка технология получения солнечных элементов на основе полупроводниковых материалов СDS и CDTE

В настоящее время в космических и наземных условиях для электроснабжения широко применяются солнечные элементы (СЭ) на основе монокристаллического кремния. Исследования показали, что наибольшую устойчивость к.п.д. к радиационному воздействию космических условиях имеют тонкопленочные элементы на основе теллурида кадмия. Это позволяет формировать эффективные гибкие солнечные элементы на основе теллурида кадмия. Такие гибкие солнечные элементы теоретически способны обладать высокой удельной мощностью за счет существенного снижения их веса при замене стеклянной подложки на полиамидную пленку.

Применяется в космических и наземных условиях для электроснабжения.

Основными технико-экономическими показателями таких солнечных элементов являются ток короткого замыкания, коэффициент полезного действия, себестоимость вырабатываемой им электроэнергии и степень устойчивости выходных характеристик к воздействию солнечного излучения.

Показано, что если себестоимость электроэнергии, вырабатываемой солнечными элементами, будет не выше 1 $ за Ватт-пик (1 Вт при интенсивности излучения 1000Вт/м2) то фотоэлектричество будет конкурентоспособным по отношению к электроэнергии вырабатываемой тепловыми электростанциями. К 2011 году минимальная возможная цена 1Ватт-пик кремневых монокристаллических солнечных элементов составит не менее 2$, а для плёночных солнечных элементов на основе теллурида кадмия — 0,5 $. Исходя из вышеизложенного стоит задача получить плёночный СЭ на основе теллурида кадмия.

Название организации: Ферганский государственный университет
Почтовый адрес:150100, г.Фергана, ул.Мураббийлар,19.
тел.: (8 373)224-28-71, факс: 224-35-32, E-mail: fardu_info@mail.ru