Сцинтилляционный фотодетектор излучения

Сцинтилляционный фотодетектор излучения, содеожащий сцинтиллятор, снабжен фотоприемником, который закреплен на поверхности сцинтиллятора; фотоприемник и сцинтиллятор оптически связаны между собой, причем фотоприемник выполнен в виде аномально-фотонапряженной пленки на основе поликристала теллурида кадмия, легированного серебром, а сцинтиллятор – в виде пластины из монокристалла селенида цинка.

Сфера применения: В пленочной оптоэлектронике в качестве преобразователя излучения.

Основная технология: Способ изготовления сцинтилляционного фотодетектора излучения заключается в следующем: Пластину из селенида цинка помещают в камеру при вакууме 133,32×10^-5 — 133,32×10^-4 Па (10^-5 — 10^-4 Торр) под углом 40-45° к напрвлению молекулярного пучка и нормалью к подложке, нагревают её до температуры 260°С, затем термическим напылением наносят слой теллурида кадмия со скоростью конденсации 0,35 нм/с толщиной 1,2 мкм, проводят легирование серебром из отдельного тигеля (для компенсации электропроводности теллурида кадмия и создания глубоких уровней в запрещенной зоне, участвующих в возникновении фото – э.д.с). масса легирующей примеси при этом составляет 0,3-1,0 % от массы полупроводникового материала.

Экономическая эффективность: Повышение фоточувствительности к излучению, которое вызывает люминесценцию селенида цинка.

Название организации: Ферганский государственный университет, кафедра зоология.
Почтовый адрес: 150100, г. Фергана, ул. Мураббийлар, 19.
Тел.: (8 373) 224-28-71, факс: 224-35-32,
e-mail: fardu_info@mail.ru
Авторы: С.Отажонов, Б.Отакулов.