Сцинтилляционный фотодетектор излучения

Сцинтилляционный фотодетектор излучения, содержащий сцинтиллятор, снабжен фотоприемником, который закреплен на поверхности сцинтиллятора; фотоприемник и сцинтиллятор оптически связаны между собой, причем фотоприемник выполнен в виде аномально – фотонапряженной пленки на основе поликристалла теллурида кадмия, легированно-го серебром, а сцинтиллятор – в виде пластины из монокристалла селенида цинка.

В пленочной оптоэлектронике в качестве преобразователя излучения.

Пластину из селенида цинка помещают в камеру при вакууме 133,32.10-5 -133,32.10-4 Па (10-5-10-4 Торр) под углом 40-450 к напрвлению молекулярного пучка и нормалью к подложке, нагревают её до температуры 2600 С, затем термическим напылением наносят слой теллурида кадмия со скоростью конденсации 0,35 нм/с толщиной 1,2 мкм, проводят легирование серебром из отдельного тигеля (для компенсации электропроводности теллурида кадмия и создания глубоких уровней в запрещенной зоне, участвующих в возникновении фото – э.д.с). масса легирующей примеси при этом составляет 0,3-1,0 % от массы полупроводникового материала.

Повышение фоточувствительности к излучению, которое вызывает люминесценцию селенида цинка к ультрафиолетовым и рентгеновским лучам, путем прямой передачи фотосигнала от сцинтиллятора к фотоприемнику за счет накопления зарядов на поверхности фотоприемника и исключение источника внешнего напряжения.

Название организации: Ферганский государственный университет, кафедра физика
Почтовый адрес: 150100, г.Фергана, ул.Мураббийлар,19.
тел.: (8 373)224-28-71, факс: 224-35-32, E-mail: fardu_info@mail.ru
Автор: С.Отажонов