Разработка технология получения полупроводниковых материалов CDS и CDTE для солнечных элементов

В настоящее время наибольшую устойчивость к.п.д. к радиационному воздействию космических условиях имеют тонкопленочные элементы на основе теллурида кадмия. В ряд западных фирм начали производить прозрачные поли-амидные пленки, обладающие термоста-бильностью до 4500С. Это позволяет формировать эффективные гибкие солнеч-ные элементы на основе теллурида кадмия. Такие гибкие солнечные элементы теоретически способны обладать высокой удельной мощностью за счет существенного снижения их веса при замене стеклянной подложки на полиамидную пленку. Таким образом, разработка технологии получения полупроводниковых материалов СdS и CdTe для солнечных элементов является актуальным.

Применяется в космических и наземных условиях для электроснабжения.

Основным технико-экономическим показателем является технология получения полупроводниковых материалов CdS и CdTe для плёночного СЭ.
Теоретически коэффициент полезного действия около 30 %. В данное время рекордное к.п.д. получено до 16,7%. Если себестоимость электроэнергии, вырабатываемой солнечным элементами, будет не выше 1 $ за Ватт-пик (1 Вт при интенсивности излучения 1000Вт/м2), то фотоэлектричество будет конкурентоспо-собным по отношению к электроэнергии, вырабатываемой тепловыми электростанциями. К 2011 году минимальная возможная цена 1Ватт-пик кремневых монокристаллических солнечных элементов составит не менее 2$, а для плёночных солнечных элементов на основе теллурида кадмия -0,5 $.

Название организации: Ферганский государственный университет
Почтовый адрес: 150100, г.Фергана, ул.Мураббийлар,19.
тел.: (8 373)224-28-71, факс: 224-35-32, E-mail: fardu_info@mail.ru